| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ФЛЕШ-НЕ-НЕ |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 512М х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Базовый номер продукта | MT29F4G08 |
| ECCN | УСТАРЕВШИЙ |
| Стандартный пакет | 1000 |
FLASH-ИС память NAND, 4 Гбит, параллельный кристалл