Rohm Semiconductor RGWS60TS65DGC13 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGWS60TS65DGC13

IGBT TRNCH ПОЛЮС 650В 51А TO247G

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGWS60TS65DGC13
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9447
  • Артикул: РГВС60ТС65ДГК13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.8900

Дополнительная цена:$5.8900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 51 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 90 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2В @ 15В, 30А
Мощность - Макс. 156 Вт
Переключение энергии 500 мкДж (вкл.), 450 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 58 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 32 нс/91 нс
Условия испытаний 400В, 30А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 88 нс
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247Г
Базовый номер продукта РГВС60
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 846-RGWS60TS65DGC13
Стандартный пакет 30
IGBT Trench Field Stop 650 В 51 А 156 Вт сквозное отверстие TO-247G