ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13

IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $5.8900

Эkst цena:$5.8900

Подрэбной

Парметр
Млн	ROHM Semiconductor
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ИГБТ	По -прежнему
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	650
Current - Collector (IC) (MMAKS)	51 а
Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	90 а
Vce (on) (max) @ vge, ic	2V @ 15V, 30a
Синла - МАКС	156 Вт
Переклхейн	500 мкм (wklючen), 450 мкд (vыklючen)
ТИПВ	Станода
ЗArAd -vvoROT	58 NC
TD (ON/OFF) @ 25 ° C	32NS/91NS
ИСЛОВЕЕ ИСПАН	400 В, 30.
ВОЗНАЯ ВОЗНА	88 м
Raboч -yemperatura	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	247-3
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DO-247G
Baзowый nomer prodikta	RGWS60
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	846-RGWS60TS65DGC13
Станодадж	30

Полевое поле IGBT Стоп 650 В 51 A 156 ytreз oTwerStie oDO 247G