Технология микрочипа APT75GN120LG

АПТ75ГН120ЛГ

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT75GN120LG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 172
Артикул: АПТ75ГН120ЛГ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $16.3600

Дополнительная цена:$16.3600

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	200 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	225 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,1 В @ 15 В, 75 А
Мощность - Макс.	833 Вт
Переключение энергии	8620 мкДж (вкл.), 11 400 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	425 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	60 нс/620 нс
Условия испытаний	800В, 75А, 1Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-264-3, ТО-264АА
Поставщик пакета оборудования	ТО-264 [Л]
Базовый номер продукта	АПТ75ГН120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

IGBT Trench Field Stop 1200 В 200 А 833 Вт Сквозное отверстие TO-264 [L]