EPC EPC2103ENGRT — EPC FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

ЕПК EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

  • Производитель: EPC
  • Номер производителя: ЕПК EPC2103ENGRT
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6392
  • Артикул: EPC2103ENGRT
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель EPC
Ряд ЭГАН®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Производство постоянно в Digi-Key
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Конфигурация 2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,5 мОм при 20 А, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 7 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,5 НК при 5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7600пФ при 40В
Мощность - Макс. -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи Править
Поставщик пакета оборудования Править
Базовый номер продукта ЕПК210
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 500
Матрица мосфетов 80 В, 23 А, кристалл для поверхностного монтажа