| Параметры |
| Производитель | EPC |
| Ряд | ЭГАН® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Производство постоянно в Digi-Key |
| Технология | GaNFET (нитрид галлия) |
| Конфигурация | 2 Н-канала (полумост) |
| Особенность левого транзистора | - |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 23А |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 5,5 мОм при 20 А, 5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В @ 7 мА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 6,5 НК при 5 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 7600пФ при 40В |
| Мощность - Макс. | - |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Базовый номер продукта | ЕПК210 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 500 |
Матрица мосфетов 80 В, 23 А, кристалл для поверхностного монтажа