GeneSiC Полупроводниковый MBR200100CTS

МБР200100CTS

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Полупроводниковый MBR200100CTS
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5280
Артикул: МБР200100CTS
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Конфигурация диода	2 независимых
Технология	Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	100 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	200А (постоянный ток)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	950 мВ при 100 А
Скорость	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)
Ток – обратная утечка @ Vr	10 мкА при 80 В
Рабочая температура - соединение	-40°С ~ 175°С
Тип монтажа	Винтовое крепление
Пакет/ключи	СОТ-227-4
Поставщик пакета оборудования	СОТ-227
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-1133
Стандартный пакет	13

Диодная массив 2 независимых, 100 В, 200 А (постоянный ток), винтовое крепление SOT-227-4