| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 2,17 -ggц |
| Прирост | 17.3db |
| В конце | 28 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | - |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 1,1 а |
| Питани - В.О. | 33 Вт |
| Napraheneee - оинка | 65 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | SOT-957A |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780H-2L |
| Baзowый nomer prodikta | MRF7 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Станодар | 250 |
RF MOSFET 28 V 1,1 A 2,17-ggц 17,3db 33W Ni-780H-2L
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740