| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 880 мг |
| Прирост | 20,2db |
| В конце | 28 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | - |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 950 май |
| Питани - В.О. | 27w |
| Napraheneee - оинка | 66 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | До-272BB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 272 WB-4 |
| Baзowый nomer prodikta | MRFE6 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Дрогин ИНЕНА | 935309651528 |
| Станодар | 500 |
РФ МОСФЕТ 28 В 950 Ма 880 мг.
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740