Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated DMN3032LFDBQ-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 120
  • Артикул: DMN3032LFDBQ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5400

Дополнительная цена:$0,5400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,2А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 30 мОм при 5,8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10,6 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 500пФ при 15В
Мощность - Макс. 1 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования U-DFN2020-6 (Тип Б)
Базовый номер продукта ДМН3032
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массивные мосфеты 30 В, 6,2 А, 1 Вт, для поверхностного монтажа U-DFN2020-6 (тип B)