Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 25 В |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 71A (TA), 200A (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 0,95MOHM @ 20A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 145 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 7036 PF @ 15 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 7,3 yt (ta), 83 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-DFN (5x6) |
PakeT / KORPUES | 8-powersmd, ploskie otwedonnina |
Baзowый nomer prodikta | AON652 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 1 |
N-kanal 25-71A (TA), 200A (TC) 7,3 st (TA), 83 Вт (TC).