Парметр | |
---|---|
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 p-Kanal (Dvoйnoй) |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 3A |
Rds on (max) @ id, vgs | 120mohm @ 3a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 6,5NC @ 4,5 |
Взёр. | 700pf @ 10 a. |
Синла - МАКС | 1,5 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-dfn (2x2) |
Baзowый nomer prodikta | AON280 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 1 |