Технология микрочипа APTGTQ100A65T1G

APTGTQ100A65T1G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APTGTQ100A65T1G
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2168
Артикул: APTGTQ100A65T1G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $68,5400

Дополнительная цена:$68,5400

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Конфигурация	Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100 А
Мощность - Макс.	250 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,2 В при 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	100 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	6 нФ @ 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Да
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП1
Базовый номер продукта	APTGTQ100
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT Полумост 650 В 100 А 250 Вт Монтаж на шасси SP1