Технология микрочипа APTGTQ200A65T3G

APTGTQ200A65T3G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APTGTQ200A65T3G
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1927 год
Артикул: APTGTQ200A65T3G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $120,8100

Дополнительная цена:$120,8100

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Конфигурация	Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	200 А
Мощность - Макс.	483 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,2 В @ 15 В, 200 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	200 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	12 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Да
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП3Ф
Базовый номер продукта	APTGTQ200
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT Полумост 650 В 200 А 483 Вт Монтаж на шасси SP3F