Даллас Полупроводник DS28DG02G-3C+

DS28DG02G-3C+

Производитель: Даллас Полупроводник
Номер производителя: Даллас Полупроводник DS28DG02G-3C+
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8913
Артикул: DS28DG02G-3C+
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Даллас Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ЭСППЗУ
Технология	ЭСППЗУ
Размер	2Кбит
Организация	256 х 8
Интерфейс памяти	СПИ
Тактовая частота	2 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Напряжение питания	2,2 В ~ 5,25 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	36-WFQFN Открытая колодка
Поставщик пакета оборудования	36-ТКФН (6х6)
Базовый номер продукта	DS28DG02
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0051
Стандартный пакет	1

ИС память EEPROM, 2 Кбит, SPI, 2 МГц, 36-TQFN (6x6)