Diodes Incorporated BSS8402DW-7-G - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated BSS8402DW-7-G

МОП-транзистор Н/П-СН 60 В/50 В SC70-6

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated BSS8402DW-7-G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8706
  • Артикул: BSS8402DW-7-G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50пФ при 25В, 45пФ при 25В
Мощность - Макс. 200 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СОТ-363
Базовый номер продукта БСС8402
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-BSS8402DW-7-ГТР
Стандартный пакет 3000
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация Дополняющие N и P-каналы
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60В, 50В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 115 мА (Та), 130 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13,5 Ом при 500 мА, 10 В, 10 Ом при 100 мА, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА, 2 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Массив МОП-транзисторов 60 В, 50 В 115 мА (Ta), 130 мА (Ta) 200 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа SOT-363