Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN1032UCP4-7

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X1-DSN1010-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN1032UCP4-7
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5311
  • Артикул: ДМН1032UCP4-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1462

Дополнительная цена:$0,1462

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 28 мОм при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3,2 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 325 пФ при 6 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 790 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X1-DSN1010-4 (Тип Б)
Пакет/ключи 4-XFBGA, ДСБГА
Базовый номер продукта ДМН1032
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMN1032UCP4-7
Стандартный пакет 3000
N-канальный 12 В, 5 А (Ta) 790 мВт (Ta) для поверхностного монтажа X1-DSN1010-4 (Тип B)