Diodes Incorporated DMN12M7UCA10-7-01 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN12M7UCA10-7-01

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X4-DSN3015-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN12M7UCA10-7-01
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2119
  • Артикул: DMN12M7UCA10-7-01
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3371

Дополнительная цена:$0,3371

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) с общим стоком
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20,2А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,75 мОм при 6 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,4 В @ 1,11 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35,7 НК при 4 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3039пФ при 10 В
Мощность - Макс. 740 МВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 10-СМД, без свинца
Поставщик пакета оборудования X4-DSN3015-10
Базовый номер продукта ДМН12
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМН12М7УКА10-7-01
Стандартный пакет 5000
Массив МОП-транзисторов 12 В, 20,2 А (Ta), 740 мВт, для поверхностного монтажа X4-DSN3015-10