Diodes Incorporated DMN12M8UCA10-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN12M8UCA10-7

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X4-DSN3015-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN12M8UCA10-7
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2419
  • Артикул: ДМН12М8UCA10-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7000

Дополнительная цена:$0,7000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) с общим стоком
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,8 мОм при 6 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,4 В @ 1,11 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36,4 НК при 4 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2504пФ при 10В
Мощность - Макс. 1,4 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 10-СМД, без свинца
Поставщик пакета оборудования X4-DSN3015-10
Базовый номер продукта ДМН12
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-ДМН12М8УКА10-7
Стандартный пакет 5000
Массив мосфетов 12 В, 25 А (Ta), 1,4 Вт, для поверхностного монтажа X4-DSN3015-10