Diodes Incorporated DMN16M8UCA6-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN16M8UCA6-7

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X4-DSN3015-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN16M8UCA6-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8486
  • Артикул: ДМН16М8UCA6-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2928

Дополнительная цена:$0,2928

Подробности

Теги

Параметры
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,3 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 45,4 НК при 6 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2333пФ при 6 В
Мощность - Макс. 1,1 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-СМД, без свинца
Поставщик пакета оборудования X3-DSN2718-6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМН16М8УКА6-7ТР
Стандартный пакет 3000
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) с общим стоком
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15,5 А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,6 мОм при 3 А, 4,5 В
Массив мосфетов 12 В 15,5 А (Ta) 1,1 Вт для поверхностного монтажа X3-DSN2718-6