Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7-52 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN2005LP4K-7-52

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X2-DFN1006-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN2005LP4K-7-52
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1757 г.
  • Артикул: ДМН2005ЛП4К-7-52
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1002

Дополнительная цена:$0,1002

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 300 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,5 Ом при 10 мА, 4 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 100 мкА
ВГС (Макс) ±10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 37,1 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 400 мВт (Та)
Рабочая температура -65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X2-DFN1006-3
Пакет/ключи 3-XFDFN
Базовый номер продукта ДМН2005
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-ДМН2005ЛП4К-7-52
Стандартный пакет 3000
N-канальный 20 В 300 мА (Ta) 400 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа X2-DFN1006-3