Diodes Incorporated DMN2009UCA4-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN2009UCA4-7

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X4-DSN1717-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN2009UCA4-7
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1297
  • Артикул: ДМН2009UCA4-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2732

Дополнительная цена:$0,2732

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-ДМН2009УЦА4-7
Стандартный пакет 3000
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация -
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10,3 А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 11,9 мОм при 2,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,4 В @ 640 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17,5 НК при 4 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1780пФ при 10В
Мощность - Макс. 900мВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 4-XFBGA, ДСБГА
Поставщик пакета оборудования X4-DSN1717-4
Базовый номер продукта ДМН2009
ECCN EAR99
Массив МОП-транзисторов 20 В, 10,3 А (Ta), 900 мВт, для поверхностного монтажа X4-DSN1717-4