Diodes Incorporated DMN2992UFB4Q-7B - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMN2992UFB4Q-7B

Диоды Инкорпорейтед DMN2992UFB4Q-7B

МОП-транзистор BVDSS: 8–24 В X2-DFN1006-

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN2992UFB4Q-7B
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9
  • Артикул: DMN2992UFB4Q-7B
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,2500

Дополнительная цена:$0,2500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 830 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 990 мОм при 100 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,41 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15,6 пФ при 16 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 380 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X2-DFN1006-3
Пакет/ключи 3-XFDFN
Базовый номер продукта ДМН2992
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 10 000
N-канальный 20 В, 830 мА (Ta) 380 мВт (Ta) для поверхностного монтажа X2-DFN1006-3

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.