Diodes Incorporated DMN30H4D0L-7-52 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN30H4D0L-7-52

МОП-транзистор BVDSS: 251–500 В SOT23 T&

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN30H4D0L-7-52
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9562
  • Артикул: ДМН30Х4Д0Л-7-52
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2501

Дополнительная цена:$0,2501

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 250 мА (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,7 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4 Ом при 300 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7,6 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 187,3 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 310 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Базовый номер продукта 30 марок
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-ДМН30Х4Д0Л-7-52
Стандартный пакет 3000
N-канал 300 В 250 мА (Ta) 310 мВт (Ta) Для поверхностного монтажа SOT-23-3