Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13-52 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMN63D8LDW-13-52

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В SOT363 T&R

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMN63D8LDW-13-52
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5466
  • Артикул: DMN63D8LDW-13-52
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0398

Дополнительная цена:$0,0398

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 220 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,8 Ом при 250 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0,87 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 22пФ при 25В
Мощность - Макс. 300 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СОТ-363
Базовый номер продукта ДМН63
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 31-DMN63D8LDW-13-52
Стандартный пакет 10 000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 220 мА (Ta), 300 мВт (Ta), для поверхностного монтажа SOT-363