Diodes Incorporated DMT10H010LSSQ-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMT10H010LSSQ-13

Диоды Инкорейтед DMT10H010LSSQ-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В СО-8 T&R

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMT10H010LSSQ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4094
  • Артикул: DMT10H010LSSQ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,7085

Дополнительная цена:$0,7085

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,5 мОм при 13 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,8 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58,4 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4166 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,9 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СО
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТ10Х010LSSQ-13ТР
Стандартный пакет 2500
Н-канал 100 В 12 А (Та) 1,9 Вт (Та) для поверхностного монтажа 8-СО

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.