Diodы klючali dmt10h9m9sh3

Mosfet Bvdss: 61 n00 vDO 251 ВАННА

Проиджоделх: Дидж
NoMerPOIзVODITELEL: Diodы klючali dmt10h9m9sh3
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 3994
Sku: DMT10H9M9SH3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuю polityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,8644

Эkst цena:$0,8644

Подрэбной

Парметр
Млн	Дидж
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	84a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	9mohm @ 20a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	30 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	2085 PF @ 50 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	114W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	251
PakeT / KORPUES	До 251-3 лиды, Ипак
Baзowый nomer prodikta	DMT10
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	31-DMT10H9M9SH3
Станодадж	75

N-Kanal 100-84A (TC) 114W (TC).