Diodes Incorporated DMT32M6LDG-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед ДМТ32М6ЛДГ-13

МОП-транзистор BVDSS: 25–30 В POWERDI333

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед ДМТ32М6ЛДГ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3
  • Артикул: ДМТ32М6ЛДГ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4800

Дополнительная цена:$1,4800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21А (Та), 47А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,5 мОм при 18 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В при 400 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15,6 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2101пФ при 15 В
Мощность - Макс. 1,1 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (тип G)
Базовый номер продукта ДМТ32
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 21 А (Ta), 47 А (Tc), 1,1 Вт (Ta), для поверхностного монтажа PowerDI3333-8 (тип G)