Diodes Incorporated DMTH10H032LPDW-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMTH10H032LPDW-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В PowerDI50

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMTH10H032LPDW-13
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2050 год
  • Артикул: ДМТХ10Х032ЛПДВ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3895

Дополнительная цена:$0,3895

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала
Особенность левого транзистора Стандартный
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 32 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,9 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683пФ при 50 В
Мощность - Макс. 3 Вт (Та), 37 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип UXD)
Базовый номер продукта ДМТХ10
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМТХ10Х032ЛПДВ-13
Стандартный пакет 2500
Массив МОП-транзисторов 100 В, 24 А (Tc), 3 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), для поверхностного монтажа PowerDI5060-8 (тип UXD)