Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMWS120H100SM4

НИЦ МОП-транзистор BVDSS:>1000 В ТО247-4

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMWS120H100SM4
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 14
  • Артикул: ДМВС120Х100СМ4
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $20.2100

Дополнительная цена:$20.2100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiC (карбидокремниевый переходной транзистор)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37,2А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 100 мОм при 20 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В @ 5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52 НК при 15 В
ВГС (Макс) +19В, -8В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1516 пФ при 1000 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 208 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247-4
Пакет/ключи ТО-247-4
Базовый номер продукта ДМВС120
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМВС120Х100СМ4
Стандартный пакет 30
Н-канал 1200 В 37,2 А (Тс) 208 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-4