Diodes Incorporated DXTC3C100PDQ-13 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DXTC3C100PDQ-13

Транзистор SS Low Sat PowerDI506

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DXTC3C100PDQ-13
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9390
  • Артикул: DXTC3C100PDQ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8400

Дополнительная цена:$0,8400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН, ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 330 мВ при 300 мА, 3 А / 325 мВ при 200 мА, 2 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 150 при 500 мА, 10 В / 170 при 500 мА, 10 В
Мощность - Макс. 1,47 Вт
Частота – переход 130 МГц, 100 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerTDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI5060-8 (тип UXD)
Базовый номер продукта DXTC3C100
Другие имена 31-DXTC3C100PDQ-13
Стандартный пакет 2500
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 100 В, 3 А, 130 МГц, 100 МГц, 1,47 Вт, для поверхностного монтажа PowerDI5060-8 (тип UXD)