Парметр |
Млн | DIOTEC Semiconductor |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 40 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.2a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 97mohm @ 3a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 8.2 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 432 pf @ 20 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 750 мг (таблица) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-23-3 (TO-236) |
PakeT / KORPUES | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Статус Ройс | Neprigodnnый |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | Продан |
Htsus | 8541.21.0000 |
Дрогин ИНЕНА | 2796-MMFTP2319A-AQTR |
Станодадж | 3000 |
P-KANAOL 40 В 4,2A (TA) 750 мг (TA) PORHERхNOSTNONOE Креплэни SOT-23-3 (DO 236)