STMicroelectronics STGW25M120DF3 - STMicroelectronics IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

STMicroelectronics STGW25M120DF3

СТГВ25М120ДФ3

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: STMicroelectronics STGW25M120DF3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 367
  • Артикул: СТГВ25М120ДФ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $7.1900

Дополнительная цена:$7.1900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 100 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,3 В @ 15 В, 25 А
Мощность - Макс. 375 Вт
Переключение энергии 850 мкДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 85 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 28 нс/150 нс
Условия испытаний 600В, 25А, 15Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 265 нс
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247-3
Базовый номер продукта СТГВ25
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
IGBT Trench Field Stop 1200 В 50 А 375 Вт Сквозное отверстие ТО-247-3