Vishay Siliconix IRLD120 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Вишай Силиконикс IRLD120

ИРЛД120

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Вишай Силиконикс IRLD120
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9163
  • Артикул: ИРЛД120
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,3 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4В, 5В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 270 мОм при 780 мА, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК @ 5 В
ВГС (Макс) ±10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 490 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,3 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования 4-ХВМДИП
Пакет/ключи 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм)
Базовый номер продукта ИРЛД120
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена *ИРЛД120
Стандартный пакет 2500
Н-канал 100 В 1,3 А (Та) 1,3 Вт (Та) Сквозное отверстие 4-HVMDIP