NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ

ПСМН8Р5-108ESQ

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4267
  • Артикул: ПСМН8Р5-108ESQ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 108 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (ТДж)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,5 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5512 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 263 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования И2ПАК
Пакет/ключи ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA
Базовый номер продукта ПСМН8
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 50
N-канал 108 В 100 А (Tj) 263 Вт (Tc) Сквозное отверстие I2PAK