| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM |
| Размер | 64 Мбит |
| Организация | 4М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 166 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 5 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 60-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 60-МиниBGA (6,4х10,1) |
| Базовый номер продукта | ИС42С16400 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0002 |
| Стандартный пакет | 286 |
ИС память SDRAM, 64 Мбит, параллельная, 166 МГц, 5 нс, 60-MiniBGA (6,4x10,1)