| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный, SDR |
| Размер | 18 Мбит |
| Организация | 1М х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 250 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 2,6 нс |
| Напряжение питания | 2375 В ~ 2625 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 100-LQFP |
| Поставщик пакета оборудования | 100-LQFP (14x20) |
| Базовый номер продукта | ИС61ВПС102418 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 72 |
SRAM — синхронная, микросхема памяти SDR, 18 Мбит, параллельная, 250 МГц, 2,6 нс, 100-LQFP (14x20)