| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 8 Мбит |
| Организация | 512К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 70нс |
| Время доступа | 70 нс |
| Напряжение питания | 2,5 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 48-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 48-миниBGA (7,2х8,7) |
| Базовый номер продукта | IS62WV51216 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 312 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 8 Мбит, параллельная, 70 нс, 48-miniBGA (7,2x8,7)