| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный, SDR |
| Размер | 9Мбит |
| Организация | 512К х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 117 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 7,5 нс |
| Напряжение питания | 3135 В ~ 3465 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 165-ТБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 165-ТФБГА (13х15) |
| Базовый номер продукта | IS61NLF51218 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 144 |
SRAM — синхронная, микросхема памяти SDR, 9 Мбит, параллельная, 117 МГц, 7,5 нс, 165-TFBGA (13x15)