Issi, Ингрированано Кремни.
IS42S16100E-5TL-TR
- Проиджоделх: Issi, ина
- NoMerPOIзVODITELEL: Issi, Ингрированано Кремни.
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9262
- Sku: IS42S16100E-5TL-TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю koankurentosposobnuюpolytikue.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Issi, ина |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM |
| Raзmerpmayti | 16 марта |
| Органихая | 1m x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 200 мг |
| Верный | - |
| Вернее | 5 млн |
| Napraheneee - posta | 3 В ~ 3,6 В. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 50-tsop II |
| Baзowый nomer prodikta | IS42S16100 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0002 |
| Станодар | 1000 |
SDRAM память IC 16 мсэт-параллея 200 млн. 5 млн. Ст.
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p