EIC Semiconductor Inc. 1N5402T/R
Diode Gen Purp 200V 3A DO201AD
- Проиджоделх: EIC Semiconductor Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: EIC Semiconductor Inc. 1N5402T/R
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 21
- Sku: 1n5402t/r
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | EIC Semiconductor Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Станода |
| На | 200 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 3A |
| На | 950 мВ @ 3 a |
| Скороп | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) |
| Ток - Обратна тебе | 5 мка При 200 |
| Emcostath @ vr, f | 28pf @ 4V, 1 мгха |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | Do-201ad, Osevoй |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Do-201ad |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -65 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Htsus | 8541.10.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 2439-1N5402T/rtr |
| Станодар | 1250 |
DIOD 200- 3AEREзDыRU DO-201AD