EIC Semiconductor Inc. 1N5818T/R
Диди 30 30 - 1а do41
- Проиджоделх: EIC Semiconductor Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: EIC Semiconductor Inc. 1N5818T/R
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5
- Sku: 1n5818t/r
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Htsus | 8541.10.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 2439-1N5818T/rtr |
| Станодар | 5000 |
| Млн | EIC Semiconductor Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | ШOTKIй |
| На | 30 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 1A |
| На | 550 мВ @ 1 a |
| Скороп | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) |
| Ток - Обратна тебе | 1 мая @ 30 |
| Emcostath @ vr, f | 110pf @ 4V, 1 мгновение |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | DO-204AL, DO-41, OSEVOй |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-41 |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -65 ° C ~ 125 ° C. |
DIOD 30-1А