EIC Semiconductor Inc. HER306T/R
Diode Gen Purp 600V 3A DO201AD
- Проиджоделх: EIC Semiconductor Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: EIC Semiconductor Inc. HER306T/R
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5
- Sku: HER306T/R.
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | Do-201ad, Osevoй |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Do-201ad |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -65 ° С ~ 150 ° С. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Htsus | 8541.10.0000 |
| Дрогин ИНЕНА | 2439-HER306T/RTR |
| Станодадж | 1250 |
| Млн | EIC Semiconductor Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Станода |
| На | 600 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 3A |
| На | 1,7 - @ 3 a |
| Скороп | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 75 м |
| Ток - Обратна тебе | 10 мк. |
| Emcostath @ vr, f | 50pf @ 4V, 1 мгест |
Diod 600-hreeз otwerstie do-2010