Парметр | |
---|---|
Млн | EIC Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | Станода |
На | 400 |
Ток - Среднигиисправейни (io) | 2.5A |
На | 950 мв 2,5 а |
Скороп | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) |
Ток - Обратна тебе | 10 мка 400 |
Emcostath @ vr, f | - |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
PakeT / KORPUES | Do-201ad, Osevoй |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Do-201ad |
Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -40 ° С ~ 150 ° С. |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Htsus | 8541.10.0000 |
Дрогин ИНЕНА | 2439-RM3ATR |
Станодар | 1250 |