| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный, SDR |
| Размер | 18 Мбит |
| Организация | 512К х 36 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 133 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 6,5 нс |
| Напряжение питания | 3,135 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 119-ББГА |
| Поставщик пакета оборудования | 119-ПБГА (14х22) |
| Базовый номер продукта | IS61LF51236 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 84 |
SRAM — синхронная, микросхема памяти SDR, 18 Мбит, параллельная, 133 МГц, 6,5 нс, 119-PBGA (14x22)