Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M832DS TR

CTLDM8120-M832DS ТР

Производитель: Центральная полупроводниковая корпорация
Номер производителя: Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M832DS TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6002
Артикул: CTLDM8120-M832DS ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Центральная полупроводниковая корпорация
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 P-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	860 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	150 мОм при 950 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	3,56 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	200пФ при 16В
Мощность - Макс.	1,65 Вт
Рабочая температура	-65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-ТДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования	ТЛМ832ДС
Базовый номер продукта	CTLDM8120
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000

Массив МОП-транзисторов 20 В, 860 мА (Ta), 1,65 Вт, для поверхностного монтажа TLM832DS