Micron Technology Inc. MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6328
- Sku: MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | ПРЕКРЕЙНОВ ДИГОВОЙ КЛЮЧ |
| ТИП ПАМАТИ | NeleTUSHIй, neStabilnый |
| Формат пэмаи | Flash, Ram |
| Тела | Flash - Nand, Mobile LPDRAM |
| Raзmerpmayti | 1 -е (Нанд), 256 мбрит (LPDRAM) |
| Органихая | 128m x 8 (NAND), 8m x 32 (LPDRAM) |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 166 мг |
| Верна, аписи - | - |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 130-VFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 130-VFBGA (8x9) |
| Baзowый nomer prodikta | MT29C1G56 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B1A |
| Htsus | 8542.32.0071 |
| Станодар | 1000 |
Flash - nand, мобильная память LPDRAM IC 1GBIT (NAND), 256 MMBIOT (LPDRAM) PARALELELNOVNON 166 м. 130 -VFBGA (8x9)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p