Парметр |
Станодадж | 1000 |
Млн | Micron Technology Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ПАМАТИ | NeleTUSHIй, neStabilnый |
Формат пэмаи | Flash, Ram |
Тела | Flash - Nand, Mobile LPDRAM |
Raзmerpmayti | 1 -е (Нанд), 512 мсбейт (LPDRAM) |
Органихая | 64m x 16 (NAND), 16M x 32 (LPDRAM) |
ИНЕРФЕРСП | Парлель |
ТАКТОВА | 200 мг |
Верна, аписи - | - |
Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 137-TFBGA |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 137-TFBGA (10,5x13) |
Baзowый nomer prodikta | MT29C1G12 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Eccn | 3A991B1A |
Htsus | 8542.32.0071 |
Flash - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 1GBIT (NAND), 512 MMBIT (LPDRAM) PARALLELAH 200 MMGц 137 -TFBGA (10,5x13)