Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB (T6RSS-Q)

TK4P60DB (T6RSS-Q)

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB (T6RSS-Q)
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 4328
Sku: TK4P60DB (T6RSS-Q)
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	π-mosvii
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	600
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3.7a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	2OM @ 1,9A, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4,4 Е @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	11 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	540 PF @ 25 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	80 Вт (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	D-PAK
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Baзowый nomer prodikta	TK4P60
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	TK4P60DBT6RSSQ
Станодадж	2000

N-канал 600 В 3,7a (ta) 80w (tc) porхnosstnoe