| Параметры |
| Производитель | ЭПК Спейс, ООО |
| Ряд | ЭГАН® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | GaNFET (нитрид галлия) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 80А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 5В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 4 мОм при 50 А, 5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В при 18 мА |
| ВГС (Макс) | +6В, -4В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2830 пФ при 20 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 5-СМД |
| Пакет/ключи | 5-СМД, без свинца |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
Н-канал 40 В 80 А (Tc) для поверхностного монтажа 5-SMD