EPC Space, LLC FBG10N30BC — EPC Space, LLC Полевые транзисторы, МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

ООО «ЕПК Спейс» FBG10N30BC

ГАН ФЕТ HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

  • Производитель: ЭПК Спейс, ООО
  • Номер производителя: ООО «ЕПК Спейс» FBG10N30BC
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 149
  • Артикул: ФБГ10Н30ВС
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $299.1500

Дополнительная цена:$299.1500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ЭПК Спейс, ООО
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм при 30 А, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 5 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 нк @ 5 В
ВГС (Макс) +6В, -4В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 4-СМД
Пакет/ключи 4-СМД, без свинца
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
ХТСУС 0000.00.0000
Другие имена 4107-ФБГ10Н30ВС
Стандартный пакет 154
N-канал 100 В 30 А (Tc) для поверхностного монтажа 4-SMD