ООО «ЕПК Спейс» ФБГ20Н18БШ

ГАН ФЕТ HEMT 200В 18А 4ФСМД-Б

Производитель: ЭПК Спейс, ООО
Номер производителя: ООО «ЕПК Спейс» ФБГ20Н18БШ
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 25
Артикул: ФБГ20Н18БШ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $408.3100

Дополнительная цена:$408.3100

Подробности

Параметры
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	5В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	28 мОм при 18 А, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В при 3 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	7 нк @ 5 В
ВГС (Макс)	+6В, -4В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	900 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	4-СМД
Пакет/ключи	4-СМД, без свинца
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ХТСУС	0000.00.0000
Другие имена	4107-ФБГ20Н18БШ
Стандартный пакет	1
Производитель	ЭПК Спейс, ООО
Ряд	e-GaN®
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	18А (Тс)

N-канал 200 В 18 А (Tc) для поверхностного монтажа 4-SMD